Tên nhiệm vụ: Nghiên cứu tính chất điện tử của dãy nano silicon dicarbide (p-SiC2) dạng ngũ giác biên rang của bởi pha tạp và biến dạng đơn trục
Cấp quản lý nhiệm vụ: cơ sở
2. Tổ chức chủ trì: Trường Đại học Thủ Dầu Một
3. Chủ nhiệm nhiệm vụ: TS Võ Văn Ớn
4. Mục tiêu nghiên cứu:
Đề tài nghiên cứu tính chất điện tử và sự vận chuyển điện tử trong cấu trúc dãy nano silicon dicarbide (p-SiC2) dạng ngũ giác biên răng cưa bởi biến dạng đơn trục và pha tạp. Kết quả đề tài chỉ ra một số hiệu ứng vật lý mới liên quan đến tính chất điện tử và vận chuyển điện tử trong cấu trúc nghiên cứu bằng phương pháp mô phỏng DFT kết hợp với hàm Green không cân bằng. Cụ thể là đề tài khảo sát, phân tích cấu hình hình học, giản đồ vùng điện tử, giản đồ phổ truyền qua, mật độ trạng thái và đường đặc trưng V-A sau khi làm biến dạng cấu trúc và pha tạp cấu trúc, so sánh với trường hợp nguyên sơ.
5. Tóm tắt:
Đề tài bao gồm các nội dung quan trọng sau đây:
+ Tổng quan các kết quả nghiên cứu liên quan đến dãy nano silicon dicarbide (p-SiC2) dạng ngũ giác biên răng cưa.
+ Thiết kế các cấu trúc nghiên cứu: cấu trúc gốc, các cấu trúc biến dạng, các cấu trúc có pha tạp.
+ Tính và mô phỏng các đặc tính điện tử trên máy tính: Cấu trúc vùng, Mật độ trạng thái, Mật độ trạng thái địa phương.
+ Tính và mô phỏng các đặc tính vận chuyển điện tử trên máy tính: Phổ truyền qua, Đặc tuyến V-A với nhiều thế áp khác nhau từ khoảng 0eV đến 2 eV.
+ Xử lý các kết quả tính với phần mềm phân tích khoa học Origin.
+ Phân tích, so sánh và xác định các hiệu ứng vật lý mới.
6. Lĩnh vực nghiên cứu:
7. Thời gian thực hiện: 6/2021 - 6/2023
8. Kinh phí phê duyệt: 179,854,900